2n6519 Transistor Datenblatt pdf

2N6519
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N6519
Hersteller : MCC[Micro Commercial Components]
Beschreibung : High Voltage Transistor 625mW

2N6519
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N6519
Hersteller : FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Beschreibung : Epitaxial Silicon Transistor

2N6519
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : High Voltage Transistors

2N6519
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : PNP Epitaxial Silicon Transistor

2N6519
Hersteller : Micro Commercial Components
Beschreibung : High Voltage Transistor 625mW

2N6519
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : High Voltage PNP Transistor(300V???PNP?????

2N6519
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : PNP High Voltage Transistor(PNP???????????

2N6519
Hersteller : Central Semiconductor Corp
Beschreibung : Small Signal Transistors

2N6519
Hersteller : Micro Commercial Components
Beschreibung : High Voltage Transistor 625mW

2N6519
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : High Voltage Transistors

2N6519
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : PNP Epitaxial Silicon Transistor

2N6519
Hersteller : Fairchild
Beschreibung : PNP Epitaxial Silicon Transistor - High Voltage Transistor

2N6519
Hersteller : Usha
Beschreibung : High voltage transistor. Collector-emitter voltage Vceo = -300V. Collector-base voltage Vcbo = -300V. Collector dissipation Pc(max) = 0.625W.

2N6519
Hersteller : ON-Semiconductor
Beschreibung : High Voltage Transistors

2N6519
Hersteller : MCC
Beschreibung : Ic=500mA, Vce=10V transistor