2sb1116 Transistor Datenblatt pdf

2SB1116
Hersteller :
Beschreibung : SILICON TRANSISTORS

2SB1116
Hersteller : Unisonic Technologies
Beschreibung : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SB1116
Hersteller : NEC
Beschreibung : PNP SILICON TRANSISTORS

2SB1116
Hersteller : Unisonic Technologies
Beschreibung : PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SB1116
Hersteller : Weitron Technology
Beschreibung : PNP General Purpose Transistor

2SB1116
Hersteller : NEC
Beschreibung : PNP SILICON TRANSISTORS

2SB1116
Hersteller : Usha
Beschreibung : Audio frequency power amplifier medium speed switching. Collector-base voltage Vcbo = -60V. Collector-emitter voltage Vceo = -50V. Emitter-base voltage Vebo = -6V. Collector dissipation Pc(max) = 0,75W.