irf140 Transistor Datenblatt pdf

IRF140
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF140
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS, 60-100V

IRF140
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 100V, 0.077 N-Channel Power MOSFET

IRF140
Hersteller : Seme
Beschreibung :

IRF140
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung :

IRF140
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF140
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF140
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

IRF140
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF140
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

IRF140
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

IRF140
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

IRF140
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF140
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF140
Hersteller : Intersil
Beschreibung : 28A and 25A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF140
Hersteller : Semelab
Beschreibung : 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)

IRF140
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.077 Ohm, ID = 28A.