irf150 Transistor Datenblatt pdf

IRF150
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF150
Hersteller : Seme
Beschreibung :

IRF150
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung :

IRF150
Hersteller : IXYS Corporation
Beschreibung :

IRF150
Hersteller :
Beschreibung :

IRF150
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung :

IRF150
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung :

IRF150
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF150
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF150
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V

IRF150
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF150
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

IRF150
Hersteller : IXYS Corporation
Beschreibung : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
Hersteller : ETC
Beschreibung : 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED

IRF150
Hersteller : IXYS Corporation
Beschreibung : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
Hersteller : ETC
Beschreibung : 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED

IRF150
Hersteller : IXYS Corporation
Beschreibung : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V

IRF150
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

IRF150
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF150
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF150
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.055 Ohm, ID = 38A

IRF150
Hersteller : Intersil
Beschreibung : 33A and 40A, 60V and 100V, 0.055 and 0.08 Ohm, N-Channel Power MOSFETs