irf330 Transistor Datenblatt pdf

IRF330
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF330
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : HEXFET? TRANSISTOR

IRF330
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung :

IRF330
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung :

IRF330
Hersteller : IRF[International Rectifier]
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF330
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V

IRF330
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF330
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V

IRF330
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF330
Hersteller : Intersil
Beschreibung : 4.5A and 5.5A, 350V and 400V, 1.0 and 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF330
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS =400V, RDS(on) = 1.0 Ohm, ID = 5.5A