irf350 Transistor Datenblatt pdf

IRF350
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF350
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 400V, 0.300 N-Channel Power MOSFET

IRF350
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)

IRF350
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF350
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 350V/400V

IRF350
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V

IRF350
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 15A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF350
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)

IRF350
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V

IRF350
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)

IRF350
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 15A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF350
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = 400V, RDS(on) = 0.300 Ohm, ID = 14A