irf430 Transistor Datenblatt pdf

IRF430
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF430
Hersteller : Seme
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 4.5A, 500V, 1.500 N-Channel Power MOSFET

IRF430
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung :

IRF430
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF430
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V

IRF430
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF430
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
Hersteller : Fairchild Semiconductor
Beschreibung : N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V

IRF430
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF430
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 4.5A

IRF430
Hersteller : Intersil
Beschreibung : 4.0A and 4.5A, 450V and 500V, 1.5 and 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF430
Hersteller : Semelab
Beschreibung : 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)