irf9130 Transistor Datenblatt pdf

IRF9130
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9130
Hersteller : Seme
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : -12A, -100V, 0.30 P-Channel Power MOSFET

IRF9130
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
Hersteller : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9130
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET

IRF9130
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET

IRF9130
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
Hersteller : Semelab
Beschreibung : 100V Vdss P-Channel FET (field effect transistor)

IRF9130
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -11A

IRF9130
Hersteller : Intersil
Beschreibung : -10A and -12A, -80V and -100V, 0.30 and 0.40 Ohm, P-Channel Power MOSFETs