irf9230 Transistor Datenblatt pdf

IRF9230
Hersteller : International Rectifier
Beschreibung : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)

IRF9230
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9230
Hersteller : Seme
Beschreibung :

IRF9230
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung :

IRF9230
Hersteller : IRF[International Rectifier]
Beschreibung : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)

IRF9230
Hersteller : Samsung semiconductor
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9230
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9230
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
Hersteller : Intersil Corporation
Beschreibung : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
Hersteller : Seme LAB
Beschreibung : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9230
Hersteller : Semelab
Beschreibung : 200V Vdss P-Channel FET (field effect transistor)

IRF9230
Hersteller : Intersil
Beschreibung : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
Hersteller : IR
Beschreibung : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = -200V, RDS(on) = 0.80 Ohm, ID = -6.5A